文章目录

1 引言

2 InP量子点的合成

2.1 热注入法合成InP量子点

2.2 加热法合成InP量子点

2.3 晶种生长法合成InP量子点

2.4 阳离子交换法

2.5 核壳结构匹配

3 InP QLED的发展现状

4 结论与展望

文章摘要:在光电显示领域中,量子点发光二极管（quantum dots light-emitting diode,QLED）因其宽的光谱可调性、窄的半峰全宽、高的色纯度等优异性能而受到广泛关注,并被认为是下一代显示技术极为突出的候选者。目前,镉基QLED的红、绿、蓝三色发光性能已十分接近有机发光二级管的水平,但是镉元素对人体及环境具有严重的危害性。InP量子点具有较大的激子波尔半径、宽的光谱可调性（可覆盖整个可见光区）以及与镉基量子点相媲美的光电性质,而成为最有望替代镉基量子点的环境友好型量子点。因此,本文详细总结了近年来InP量子点的合成（核壳的结构、配体的选择等）与荧光性能及其QLED发光性能等方面的研究进展,并对InP QLED所面临的问题、挑战及其可行性解决方案进行了讨论和展望。

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